INTELLIGENT MEMORY DRAM Components Owner’s Manual

Кіраўніцтва па эксплуатацыі кампанентаў INTELLIGENT MEMORY DRAM

IMпрадукты распрацаваны ў адпаведнасці з самымі жорсткімі патрабаваннямі да прамысловых электронных прыкладанняў, якія працуюць практычна пры любых тэмпературах і хуткасцях, якія вы можаце сабе ўявіць. Мы прапануем унікальную прапанову кампанентаў DRAM, якія перавышаюць стандарты камерцыйнай надзейнасці і якасці.

Intelligent Memory прадставіла не толькі першую мікрасхему памяці DDR3 DDP 8 Гб з выбарам аднаго чыпа, але таксама некалькі рэдкіх шчыльнасцей, канфігурацый, функцый і тыпаў пакетаў у шэрагу розных катэгорый прадуктаў DRAM.

Прадастаўленне рашэнняў памяці для прамысловых і ўбудаваных прыкладанняў больш за 30 гадоў
Ад стандартнага да спецыяльнага, ад старога да звычайнага
Доўгі тэрмін службы прадукту з пастаяннай падтрымкай
Уласныя праекты прадуктаў і магчымасці тэсціравання
Наладжвальныя канфігурацыі і шматфункцыянальныя прадукты ў шэрагу рашэнняў
Прадукты з падтрымкай ECC і рэгістрацыі
Надзейныя працэсы кіравання зменамі прадукту

СЯМЕЙСТВА ПРАДУКТАЎ DRAM

LPDDR4(x)

Нізкі абtage Крыніца сілкавання 1.8 В, 1.1 В
Увод-вывад пры 1.1 В (LPDDR4) або 0.6 В (LPDDR4x)
Шчыльнасць ад 4Gb да 64Gb
Убудаваная карэкцыя памылак ECC з 4 Гб і 8 Гб
Высокая хуткасць перадачы дадзеных да 4266 Мбіт/с, даступная для камерцыйнага і прамысловага класаў
Мабільныя функцыі для меншай магутнасці
Каліброўка ZQ

DDR4

Падвойная хуткасць перадачы дадзеных тактавага рэжыму, крыніца харчавання 1.2 В
Падтрымліваецца:
- Інверсія шыны дадзеных (DBI)
- Праверка надмернасці цыкла запісу (CRC)
- Дынамічны ODT (завяршэнне на пласціне)
– Рэжым абнаўлення тонкай дэталізацыі
Высокая хуткасць перадачы дадзеных да 3200 МГц
Даступныя 4 Гб і 8 Гб

LPDDR3

Нізкі абtage Крыніца сілкавання 1.8 В (VDD1) і 1.22 В (VDD2, VDDQ)
Даступныя шчыльнасці 8 Гб x32 (1 ранг) і 16 Гб x32 (2 рангі)
Высокая хуткасць перадачы даных да 1866 Мбіт/с камерцыйнага ўзроўню
Сіла праграмуемых драйвераў
Аўтаматычнае самаабнаўленне з тэмпературнай кампенсацыяй
Рэжым глыбокага адключэння харчавання
Стандартны пакет JEDEC з 178 шарыкамі FBGA

DDR3

Падвойная тактавая хуткасць перадачы дадзеных, крыніца харчавання 1.35 або 1.5 В
Маскіроўка даных на байт у камандах запісу
Праграмуемая працягласць пакета і затрымка CAS
Аўтаматычнае і самаабнаўленне
Падтрымліваецца OCD (супраціў пазачыпавага драйвера)
Падтрымоўваны ODT (завяршэнне на матрыцы)
Высокая хуткасць перадачы дадзеных да 1866 Мбіт/с, даступная для камерцыйнага і прамысловага класаў
Даступныя 1 Гб, 2 Гб, 4 Гб, 8 Гб і 16 Гб
Напісаць выраўноўванне
Інтэграванае выпраўленне памылак ECC даступна для 1 Гб

DDR2

Падвойная хуткасць перадачы дадзеных тактавага рэжыму, крыніца харчавання 1.8 В
SSTL_18 сумяшчальныя ўваходы
Праграмуемая працягласць пакета і затрымка CAS
Аўтаматычнае і самаабнаўленне
Падтрымліваецца OCD (супраціў пазачыпавага драйвера)
Падтрымоўваны ODT (завяршэнне на матрыцы)
Высокая хуткасць перадачы дадзеных да 1066 МГц
Даступныя 512 Мб, 1 Гб і 2 Гб
Інтэграванае выпраўленне памылак ECC даступна для 1 Гб

DDR

Падвойная хуткасць перадачы дадзеных тактавага рэжыму, крыніца харчавання 2.5 В
SSTL_2 сумяшчальныя ўваходы
Праграмуемая працягласць пакета і затрымка CAS
Аўтаматычнае і самаабнаўленне
Высокая хуткасць перадачы дадзеных да 400 МГц, даступная ў камерцыйных, прамысловых і аўтамабільных класах
256 Мб, 512 Мб і 1 Гб з пакетамі TSOP II і BGA
Інтэграванае выпраўленне памылак ECC даступна для 1 Гб

SDRAM

Поўная сінхронная DRAM, крыніца харчавання 3.3 В
Аўтаматычнае і самаабнаўленне
Праграмуемая даўжыня серыі:
– 1, 2, 4, 8 і поўная старонка для паслядоўнага тыпу
– 1, 2, 4, 8 для тыпу чаргавання
Высокая хуткасць перадачы дадзеных да 200 МГц, даступная для камерцыйных, прамысловых і аўтамабільных класаў
64 МБ, 128 МБ, 256 МБ і 512 МБ з пакетамі TSOP II і BGA
Даступна інтэграванае выпраўленне памылак ECC